用于制备器件：
半导体激光器: 波长范围405nm - 1,200 nm
面发射器件：VCSELs 和 VECSELs
发光二极管：RCLEDs、LEDs和SLEDs
Schottky二极管
光电探测器
开发周期短
灵活而可靠
低开发成本
交货期快
有竞争力的价格
多种外延材料和外延结构
高可靠性
高一致性
根据客户要求客户定制
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