半导体先进封装Bumping（凸点）核心工艺及缺陷检测方案
Bumping（凸点）技术是一种在半导体封装中至关重要的先进工艺，它通过在芯片表面制作微小的金属凸点（bumps），实现芯片与外部电路之间的电气连接。该技术广泛应用于倒装芯片（Flip Chip）、晶圆级封装（WLP）、扇出型封装（Fan-out）等先进封装技术中，是提升封装密度、提高集成度和性能的关键手段。
Bumping技术的发展推动了倒装芯片、晶圆级封装、3D封装等先进封装技术的发展，广泛应用于5G、人工智能、云计算、可穿戴电子、物联网、大数据处理及储存等集成电路应用中。Bumping技术相比传统引线键合具有更短的信号路径、更低的信号损耗和更高的分布电感，适合高速信号传输，提升了封装的性能和可靠性。
Bumping工艺的制造过程包括溅镀、光刻、电镀、显影、蚀刻等步骤，涉及清洗、沉积、曝光、显影、电镀去胶、蚀刻和良品测试等环节。凸点材料包括金、铜、铜镍金、锡等，不同材料适用于不同芯片的封装需求。
随着芯片小型化和集成度的提高，凸点间距（Bump Pitch）不断缩小，从20μm向10μm甚至更小推进，以实现更高的集成度和性能。未来，混合键合（HCB）等技术有望进一步缩小凸点间距，提升带宽和功耗性能。
Bumping技术是先进封装领域的核心技术之一，其发展对提升电子设备的性能和可靠性具有重要意义。在半导体制造中，Bump的检测是通过高精度的3D测量设备（如3D凸点检测机）进行的。这些设备能够检测Bump的尺寸、高度、共面性、粗糙度等参数，以确保其在封装过程中的可靠性。这些检测技术对于提高封装良率和产品性能具有重要意义。
北京欧屹科技有限公司代理的多光束共聚焦原理的bump3D检测，与传统测量手段相比，多光束共聚焦技术展现出碾压性优势。其卓越的信噪比得益于针孔对杂散光的严格过滤，即便在复杂环境下也能保持信号纯净。更令人惊叹的是它的抗干扰能力，在振动环境下依然能稳定工作，这对生产现场的在线检测至关重要。
亮眼的是其超高的Z轴分辨率，能够清晰分辨微米级Bump阵列的每个细节。这种突破性的测量能力，让北京欧屹科技的Bump3D测量设备成为先进封装工艺开发和量产监控的不二之选，部分设备参数如下，如需了解更多，请咨询我们。
Bump3D检测系统 | 7040 | 7550 | 7580 | 8000 | 10000 | 10210 |
FOV(mm) | 13×13 | 9.9×7.4 | 9.9×9.9 | 13×13 | 41×33 | 15×15 |
XY精度（um） | 3.0 | 2.4 | 1.42 | 8 | 11 | 3 |
Z轴范围（um） | 180 | 90 | 300 | 4000 | 4000 | 300 |
Bump 小直径（um） | 25 | 20 | 10 | 100 | 100 | 25 |
Bump 间距（um） | 55 | 40 | 20 | 180 | 200 | 55 |
