半导体激光器
近红外半导体激光器1940nm0.5w

本产品关键部位采用AuSn硬焊料封装,AuSn焊料良好的焊接性能、浸润性、工作温度及较高的导热性能,保证了产品的一致性和可靠性。



产品简介


1、 产品封装形式:COS封装形式;

2、 产品型号:M-1940-500m-B


1、产品封装尺寸示意图(mm)

19400.jpg

 

2、芯片基本 尺寸:

屏幕截图 2023-02-02 170623.png

规格参数

本产品参数数据是在下述条件下测得:将本品置于专用测试仪器的夹具上,使用温控仪控制测试仪器的夹具温度为15℃;环境湿度:40%-55%(无结露)。产品主要性能参数如下:

屏幕截图 2023-02-02 170520.png

注: 表格当中的(1)中心波长可以提出特殊要求,默认波长范围需满足±20nm

               (2)过高的温度会使芯片的寿命变短,波长变长,过低的温度会使芯片输出功率增加,波长变短。


 产品应用方向:用于激光医疗、激光泵源、塑料材料加工、激光雷达以及气体检测等方面。


主要特点

本产品关键部位采用AuSn硬焊料封装,AuSn焊料良好的焊接性能、浸润性、工作温度及较高的导热性能,保证了产品的一致性和可靠性。

本产品采用高热导率氮化铝陶瓷热沉封装,实现了激光器芯片与散热装置的电隔离,同时超高的导热性能,确保了整个产品封装后性能更稳定。

该产品表面采用镀金设计,外观更漂亮。


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